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產(chan)品中心(xin)氣體(ti)檢測(ce)儀(yi)氣(qi)體(ti)傳感器(qi)壹氧化(hua)碳(tan)傳感器(qi)
產(chan)品簡介(jie)
本產(chan)品壹氧化(hua)碳(tan)傳感器(qi)采(cai)用(yong)品牌氣(qi)體(ti)傳感器(qi)探(tan)頭,,對空(kong)氣(qi)中的壹氧化(hua)碳(tan)濃(nong)度(du)進(jin)行(xing)測(ce)量(liang)，在(zai)較(jiao)款(kuan)的濃(nong)度(du)範(fan)圍(wei)內對(dui)壹氧化(hua)碳(tan)有(you)很(hen)高(gao)的靈敏度(du)。
| 品牌 | 西(xi)星科(ke)技 | 加(jia)工(gong)定制 | 否 |
|---|---|---|---|
| 重量(liang) | 0.2kg | RS485壹氧化(hua)碳(tan)傳感器(qi) | 0～1000ppm |
| 4-20mA壹氧化(hua)碳(tan)傳感器(qi) | 0～1000ppm |
本產品壹氧化(hua)碳(tan)傳感器(qi)采(cai)用(yong)品牌氣(qi)體(ti)傳感器(qi)探(tan)頭,,對空(kong)氣(qi)中的壹氧化(hua)碳(tan)濃(nong)度(du)進(jin)行(xing)測(ce)量(liang)，在(zai)較(jiao)款(kuan)的濃(nong)度(du)範(fan)圍(wei)內對(dui)壹氧化(hua)碳(tan)有(you)很(hen)高(gao)的靈敏度(du)。
本產品溫(wen)濕度(du)傳感器(qi)采(cai)用(yong)瑞(rui)士(shi)進(jin)口溫(wen)濕度(du)傳感器(qi)探(tan)頭SHT30，該(gai)傳感器(qi)采(cai)用(yong)先(xian)進的MEMS技術(shu)，在(zai)原有(you)SHT20傳感器(qi)的基(ji)礎(chu)上進行(xing)了(le)升(sheng)級(ji)，測(ce)量(liang)的準確度(du)有(you)了(le)極(ji)大的提高(gao)。
本產品采(cai)用(yong)進(jin)口485芯片，並對485接(jie)口進(jin)行(xing)多(duo)重(zhong)保(bao)護，能夠有(you)效應對(dui)工(gong)業(ye)現(xian)場(chang)浪(lang)湧(yong)、脈(mai)沖(chong)的幹(gan)擾(rao)，在全(quan)波(bo)特(te)率(lv)1200-115200範圍(wei)內可(ke)靠(kao)通(tong)信。
傳感器(qi)引(yin)出(chu)紅(hong)黑黃(huang)白4根線，紅(hong)線接(jie)電源，黑(hei)線接(jie)地GND，白線接(jie)485-A，黃線接(jie)485-B。
傳感器(qi)默認(ren)供電12V-24V，特(te)殊需求(qiu)可以定(ding)制。
本產品電源帶有(you)防反(fan)接(jie)保(bao)護設(she)計，但(dan)為(wei)避免不(bu)必要(yao)的意外，上電前還請(qing)仔(zai)細(xi)檢查接(jie)線是否正確。
1. 出廠默認(ren)配(pei)置(zhi)
設(she)備(bei)地(di)址(zhi) | 1 |
波(bo)特(te)率(lv) | 9600 |
數據位(wei) | 8位(wei) |
停止(zhi)位(wei) | 1位(wei) |
校驗位(wei) | 0 |
備註：以上僅為(wei)出廠(chang)默認(ren)設(she)置(zhi)，其(qi)中(zhong)設(she)備(bei)地(di)址(zhi)01-255，波(bo)特(te)率(lv)1200-115200可隨客(ke)戶(hu)需要(yao)自(zi)主(zhu)更(geng)改。
2. 通信格(ge)式
傳感器(qi)遵(zun)循(xun)標(biao)準ModBus RTU協議(yi)，傳感器(qi)讀(du)數(shu)保(bao)存在保(bao)持(chi)寄(ji)存器中，功能碼為03。
上位(wei)機讀(du)取(qu)傳感器(qi)數(shu)據(ju)問(wen)詢幀(zhen)格(ge)式：
設(she)備(bei)地(di)址(zhi) | 功能碼 | 寄(ji)存器起始地址(zhi) | 寄(ji)存器個(ge)數 | CRC低位(wei) | CRC高位(wei) |
1字節(jie) | 1字節(jie) | 2字節(jie) | 2字節(jie) | 1字節(jie) | 1字節(jie) |
例：如上位(wei)機下(xia)發(fa)數(shu)據幀為 01 03 00 02 00 01 25 CA （16進(jin)制）
01為設(she)備(bei)出(chu)廠默認(ren)地址(zhi)0x01，
03為RS485功能碼-讀(du)取(qu)保(bao)持(chi)寄(ji)存器，
00 02為要(yao)讀(du)取(qu)的寄(ji)存器起始地址(zhi)-0x02，
00 01為要(yao)讀(du)取(qu)的寄(ji)存器個(ge)數-1個(ge)，
25為16位(wei)CRC低位(wei)，
CA為16位(wei)CRC高位(wei)。
下(xia)位(wei)機設(she)備(bei)應(ying)答上位(wei)機，返(fan)回(hui)傳感器(qi)數(shu)據(ju)應答幀格(ge)式：
設(she)備(bei)地(di)址(zhi) | 功能碼 | 傳感器(qi)數(shu)據(ju)長度(du) | 傳感器(qi)數(shu)據(ju) | CRC低位(wei) | CRC高位(wei) |
1字節(jie) | 1字節(jie) | 1字節(jie) | 2N字節(jie) | 1字節(jie) | 1字節(jie) |
N為讀(du)取(qu)的存儲傳感器(qi)數(shu)據(ju)的寄(ji)存器的個(ge)數。
例：如下(xia)位(wei)機返(fan)回(hui)的數據(ju)幀(zhen)為(wei)：01 03 02 05 DC BA 8D （16進(jin)制）
01為返回(hui)數據幀所(suo)屬(shu)的設(she)備(bei)地(di)址(zhi)-0x01，
03為RS485功能碼-讀(du)取(qu)保(bao)持(chi)寄(ji)存器，
02為傳感器(qi)數(shu)據(ju)字節(jie)數(shu)-2個(ge)，
05 DC為傳感器(qi)數(shu)據(ju)-轉換(huan)為10進制為1500，
BA為16位(wei)CRC低位(wei)，
8D為16位(wei)CRC高位(wei)。
1. 通過上位(wei)機軟(ruan)件(jian)修改
西(xi)星科(ke)技針(zhen)對每種傳感器(qi)，提(ti)供對應(ying)的上位(wei)機軟(ruan)件(jian)，可通(tong)過上位(wei)機軟(ruan)件(jian)進行(xing)設(she)備(bei)地(di)址(zhi)和(he)波(bo)特(te)率(lv)的修改，使(shi)用(yong)極(ji)其(qi)方便，且不易(yi)出(chu)錯(cuo)。
上位(wei)機軟(ruan)件(jian)圖(tu)例(li)：
2. 通過串口下(xia)發(fa)命令修改
西(xi)星科(ke)技傳感器(qi)采(cai)用(yong)06功(gong)能碼進行(xing)傳感器(qi)地(di)址(zhi)和(he)波(bo)特(te)率(lv)的修改，修改後(hou)寫入傳感器(qi)內(nei)部(bu)Flash中，掉電重啟(qi)不(bu)丟失。(對於(yu)將(jiang)波(bo)特(te)率(lv)改為(wei)115200,需要(yao)采(cai)用(yong)16功(gong)能碼)
保(bao)存傳感器(qi)地(di)址(zhi)的寄(ji)存器為47(0x2F)；波(bo)特(te)率(lv)占(zhan)用(yong)兩(liang)個(ge)保(bao)持(chi)寄(ji)存器，分別(bie)為(wei)為45（0x2D）和46(0x2E)，其(qi)中(zhong)寄(ji)存器45中保(bao)存的是波(bo)特(te)率(lv)的高位(wei)（只(zhi)有(you)波(bo)特(te)率(lv)115200時(shi)才有(you)用(yong)，波(bo)特(te)率(lv)從(cong)1200-38400，寄(ji)存器45中的值(zhi)都是(shi)0）
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